Транзистор кт815 технические характеристики

КТ815 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ815А9).

Назначение: КТ815 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Комплементарная пара: КТ814 (pnp транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD135, BD137, BD139

Цоколевка КТ815: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ815: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ815:

Параметры Режим измерения параметра Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра) Статический коэффициент передачи тока КТ815(А-Г) Uкб=2B, Iэ=0.15A 40 275 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ815(А-Г) Iк=0.5А, Iб=0.05A 0.6В

Предельные параметры транзисторов КТ815:

Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г Rэб ≤ 100Ом 40В
50В
70В
100В Напряжение эмиттер-база (обратное) 5В Постоянный ток коллектора КТ815 1.5А Импульсный ток коллектора tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100 3А Максимально допустимый постоянный ток базы 0.5А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 25°С 10Вт Температура перехода -60 +150

Более подробные параметры КТ815, графики (входной характеристики и проч.) приведены в datasheet (см. Cправочник мощных транзисторов)

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Параметры транзистора КТ815

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
КТ815А	—	BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815Б	—	BD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В	—	BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г	—	BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P * K, τ max,P ** K, и max	КТ815А	—	10*	Вт
		КТ815Б	—	10*
		КТ815В	—	10*
		КТ815Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max	КТ815А	—	≥3	МГц
		КТ815Б	—	≥3
		КТ815В	—	≥3
		КТ815Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.	КТ815А	0.1к	40*	В
		КТ815Б	0.1к	50*
		КТ815В	0.1к	70*
		КТ815Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ815А	—	5	В
		КТ815Б	—	5
		КТ815В	—	5
		КТ815Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I * К , и max	КТ815А	—	1.5(3*)	А
		КТ815Б	—	1.5(3*)
		КТ815В	—	1.5(3*)
		КТ815Г	—	1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I * КЭR, I ** КЭO	КТ815А	40 В	≤0.05	мА
		КТ815Б	40 В	≤0.05
		КТ815В	40 В	≤0.05
		КТ815Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h * 21Э	КТ815А	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815Б	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815В	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	cк, с * 12э	КТ815А	5 В	≤60	пФ
		КТ815Б	5 В	≤60
		КТ815В	5 В	≤60
		КТ815Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.	КТ815А	—	≤1.2	Ом, дБ
		КТ815Б	—	≤1.2
		КТ815В	—	≤1.2
		КТ815Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	Кш, r * b, P ** вых	КТ815А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ815Б	—	—
		КТ815В	—	—
		КТ815Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)	КТ815А	—	—	пс
		КТ815Б	—	—
		КТ815В	—	—
		КТ815Г	—	—

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

«>