Транзистор кт817г характеристики цоколевка

Кремниевые эпитаксиально — планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ817

• Прототип КТ817 Б – BD233
• Прототип КТ817 В – BD235
• Прототип КТ817 Г – BD237

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150 °C
• Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

• аАО.336.187 ТУ/02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ817 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-27)	Назначение (корпус КТ-27)	Вывод (корпус КТ-89)	Назначение (корпус КТ-89)
№1	Эмиттер	№1	База
№2	Коллектор	№2	Коллектор
№3	База	№3	Эмиттер

Технические характеристики транзистора КТ817

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Т_{окр.среды}=25 °С

Паpаметpы	Обозн.	Ед.изм.	Режимы измерения	Min	Max
Граничное напряжение колл- эмит
КТ817 А, А9	Uкэо гp.	B	Iэ =0,1 A tи =0,3 — 1 мс	25
КТ817 Б, Б9				45
КТ817 В, В9				60
КТ817 Г, Г9				80
Обратный ток коллектора
КТ817 А, А9	Iкбо	мкА	Uкэ =40 В	100
КТ817 Б, Б9			Uкэ =45 В	100
КТ817 В, В9			Uкэ =60 В	100
КТ817 Г, Г9			Uкэ =100 В	100
Обратный ток коллектор — эмиттер
КТ817 А, А9	I кэr	мкА	Uкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм	200
КТ817 Б, Б9			Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм	200
КТ817 В, В9			Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм	200
КТ817 Г, Г9			Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм	200
Статический коэффициент передачи тока	h21э	Uкб =2 B, Iэ =1 A	25	275
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер	Uкэ нас	В	Iк=1 A, Iб =0,1 A	0,6

Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817

Аналоги транзистора КТ817А
2N5190, 2SD234, TIP31, 2N6121, BD433, BD435, BD611, BD613

Цоколевка транзистора КТ817А
Цоколевка и размеры транзистора КТ817А

Характеристики транзистора КТ817А

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
Обратный ток коллектора 3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817G

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817G Datasheet (PDF)

5.2. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилителях и переключа�

5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилителях и переключа�

5.4. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.5. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170 высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегули