Транзистор кт829а параметры цоколевка

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Биполярный транзистор KT829A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT829A

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

KT829A Datasheet (PDF)

����������� ���������� n-p-n, ��������� �������� ��829� Ik max,A 8 U��o ��(U��� max)[U��r max],B100 U��� max,B 100 P� max(P max),�� 60 T� max,C 150 h21�(h21�)[S21 ���] 750 ��� U��(U��),B 3 ��� I�(I�),A 3 U�� ���,B 2 I���(I��R),��� 1500 f��(fh21),��� 4 R� �-�(R� �-�),�/�� 2.08

5.1. kt8297.pdf Size:194K _integral

КТ8297 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, сх�

5.2. kt8290.pdf Size:199K _integral

КТ8290А высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в импульсных источн

5.3. kt8296.pdf Size:194K _integral

КТ8296 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, сх�

КТ829 — кремниевый биполярный низкочастотный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ829 предназначен для применения усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Аналог КТ829: по параметрам близки TIP120, TIP121, TIP122

Комплементарная пара: по параметрам близок составной pnp транзистор КТ853

Цоколевка КТ829: Б-К-Э ,см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ829: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ829:
Параметр	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ829	Uкэ=3B, Iк=3A	750	20000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ829	Iк=3.5А, Iб=14мA	2.0В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ829	Iк=3.5A, Iб=14мA	2.5В
Предельные параметры транзисторов КТ829:
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г	Rэб≤ 1кОм	100В 80В 60В 45В
Напряжение эмиттер-база (обратное)	5В
Постоянный ток коллектора КТ829	8А
Импульсный ток коллектора	tи ≤ 500 мкс, Т/tи≥10	12А
Постоянный ток базы	0.2А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 25 °С	60Вт

Подробные характеристики КТ829 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов