Кт819г datasheet на русском
Содержание:
КТ819 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-220
Назначение: КТ819 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г
Комплементарная пара: КТ818 (транзистор p-n-p типа с аналогичными параметрами)
Аналог: BD905, BD907, BD909, BD911
Цоколевка КТ819: Э-К-Б , смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ819: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные параметры транзисторов КТ819: | |||
|---|---|---|---|
| Параметр | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ819А,В КТ819Б КТ819Г |
Uкб=5B, Iэ=5A | 15 20 12 |
|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ819(А-Г) | Iк=5А, Iб=0.5A | 2В | |
| Предельные параметры транзисторов КТ819: | |||
| Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г |
Rэб ≤ 1кОм | 40В 50В 70В 100В |
|
| Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ819 | 10А | ||
| Импульсный ток коллектора | tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100 | 15А | |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | 3А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 60Вт | |
| Температура перехода | -60 | +150 |
Более подробные параметры КТ819, выходная характеристика, datasheet на аналоги приведены в справочнике мощных транзисторов
Под КТ819 понимают целое семейство кремниевых биполярных транзисторов с n-p-n структурой.
Параметры транзистора КТ819 сильно зависят от модификации (от букв следующих после КТ819). Основных групп четыре, они образуются по тому из чего сделан корпус: пластик (КТ-28) или металл (КТ-9) и применению: гражданскому (КТ819) и военному (2Т819).
Характеристики КТ819 параметры которых являются общими внутри групп:
Основные технические характеристики транзисторов КТ819
| Тип | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | Корп. | ||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UЭБ0 max, В при T = 25°C |
PК max, Вт | Tп max, °C | TК max, °C | UКЭ (UКБ), В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | CК, пФ | CЭ, пФ | tвыкл, мкс | |||
| КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г | 10 | 15 | 5 | 60 | 125 | 100 | (5) | 5 | 2 | 1000 | 2,5 | 1,67 | КТ-28 | |
| КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ | 15 | 20 | 5 | 100 | 125 | 100 | 5 | 5 | 2 | 1000 | 2,5 | 1 | КТ-9 | |
| 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В | 15 | 20 | 5 | 100 | 150 | 125 | (5) | 5 | 1000 | 2,5 | 1,25 | КТ-9 | ||
| 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2 | 15 | 20 | 5 | 40 | 150 | 100 | (5) | (5) | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | КТ-28 | |
- IКmax — максимальный ток коллектора;
- IК и.max — максимальный импульсный ток коллектора;
- Pкmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
- Uкэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
- Iкбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
- fгр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.
В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:
| Тип | UКЭ0 гр, В |
| КТ819А, КТ819АМ | 25 |
| КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2 | 40 |
| КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2 | 60 |
| КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2 | 80 |
И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:
| Тип | h21Э |
| КТ819Г, КТ819ГМ | 12 |
| КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ | 15 |
| КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2 | 20 |
КТ819 — применение
Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:
-
низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;
-
плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819
Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.
В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.
Вот ещё аналоги:
- КТ818ГМ — 2N2955
- КТ819ГМ — 2N3055
- 2Т819А — 2N5068
8 thoughts on “ КТ819 параметры ”
Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi.
Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми.
По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.
Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.
Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току.
Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение.
И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.
Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.
Помню времена , когда за пару 818-819 нужно было отвалить чуть-ли не ползарплаты инженера.Зато усилители радовали. Сегодня вытеснила интегральная электроника — дискретную. Но для тренировки ума и рук — очень полезная деталь. Я, кстати, просто как ленивый радиолюбитель рассуждаю.
Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.
Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!
Ну. Всё захаили всё советское это не так,это не то,всё гавно -а. забугорное не гавно- это сладость. Как ламповые уселители так и транзисторные. Радиотехника… Бердский радиозавод. и т.д. Что-то все хотели купить 1 класса . и 0 высшего. А кто знает какого параметра была ихняя электроника ?Вы кто-то производил снятия характеристик?Я давно выписываю журнал Радио. И не надо хаить советскую радиопромышленность. Что то сейчас в тренде опять советские ламповые уселители.
Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распространению в странах СНГ.
В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металлическом корпусе.
КТ819 , 2Т819 — кремниевый транзистор структуры n-p-n.
Рис. 1. Изображение транзистора КТ819 на принципиальных схемах.
Рис. 2. КТ819 (А. Г), 2Т819 (А2. В2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Рис. 3. КТ819 (АМ. ГМ), 2Т819 (А. В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Основные технические характеристики транзисторов КТ819:
| Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ (UКБ), В |
IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс |
| КТ819А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 15 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| КТ819БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| КТ819ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 15 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| КТ819ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 12 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| 2Т819А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т819Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т819В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т819А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
| 2Т819Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
| 2Т819В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 |
КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p
Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.
Рис. 5. КТ818(А. Г), 2Т818(А-2. В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Рис. 6. КТ818(АМ. ГМ), 2Т818(А. В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Основные технические характеристики транзисторов КТ818:
«>
Отправить ответ